氧化鎵是新一代功率半導體和深紫外光電子半導體材料，其禁帶寬度為4.9eV，遠遠大于氮化鎵（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁帶寬度。在功率半導體方面，氧化鎵的擊穿電場強度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化鎵的擊穿電場強度可達8MV/cm。 由于氧化鎵在諸多領域的重要應用價值,氧化鎵材料和器件的研究與應用，已成為當前研究與開發(fā)的熱點和重點。為此，我們提供薄層Ga2O3外延片和相應的的Ga2O3單晶襯底。
主要參數指標：
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外延層
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參數指標
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摻雜劑
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Si (n-型)
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未摻雜(半絕緣)
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摻雜濃度
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可指定在5x1016和 2x1018 cm-3之間的數值
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-
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外延層厚度
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指定在0.1和0.5μm范圍之間的數值
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外延片襯底
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參數指標
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摻雜劑
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Sn (n-型)
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Fe(半絕緣)
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摻雜濃度
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1~9x1018 cm-3
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電阻率
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-
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≧1010 Ωcm
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晶面
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(010)
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尺寸
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10x15 mm2
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厚度
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0.5 mm
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XRD FWHM
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≦150 arcsec
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偏離角度
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0°±1°
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