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釩酸釔(YVO4)單晶
釩酸釔(YVO4)單晶是一種具有優(yōu)良物理光學性能的雙折射晶體材料。該晶體透光范圍寬，透過率高、雙折射系數(shù)大、并易于加工。因此，YVO4晶體被廣泛應用于光纖通信領(lǐng)域，是光通信無源器件如光隔離器、旋光器、延遲器、偏振器中的關(guān)鍵材料。 | YVO4晶體基本特性:
| 透光范圍 |
高透光率0.4-5 μm |
| 晶體勻稱性 |
四方鋯石, 空間群D4h |
| 晶格參數(shù) |
a=b=7.12A;c=6.29A |
| 密度 |
4.22 g/cm3 |
| 莫氏（Mohs）硬度 |
5, 近似玻璃 |
| 潮解性 |
不潮解 |
| 熱膨脹系數(shù) |
αa=4.43x10-6/K;αc=11.37x10-6/K |
| 熱傳導系數(shù) |
//C:5.23 W/m/K;⊥C:5.10 W/m/K |
| 晶系 |
正單軸晶體 no=na=nb,ne=nc |
| 熱光系數(shù) |
dna/dT=8.5x10-6/K;dnc/dT=3.0x10-6/K |
| 折射系數(shù)，雙折射系數(shù)(△n=ne-no)，離散角45°(ρ): |
no=1.9929,ne=2.2154,△n=0.2225,ρ=6.04° at 0.63mm
no=1.9500,ne=2.1554,△n=0.2054,ρ=5.72° at 1.30mm
no=1.9447,ne=2.1486,△n=0.2039,ρ=5.69° at 1.55mm |
| 塞米爾（Sellmeier）方程(λ用μm表示): |
no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2
ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2 |
表1.YVO4與其他雙折射晶體的基本特性比較
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YVO4 |
TiO2 |
CaCO3 |
LiNbO3 |
| 熱膨脹系數(shù) (/CO) |
c-軸 |
11.4x10-6 |
9.2x10-6 |
26.3x10-6 |
16.7x10-6 |
| a-軸 |
4.4x10-6 |
7.1x10-6 |
5.4x10-6 |
7x10-6 |
| 反射系數(shù) |
no |
1.9447@1550nm |
2.454@1530nm |
1.6346@1497nm |
2.2151@1440nm |
| ne |
2.1486@1550nm |
2.710@1530nm |
1.4774@1497nm |
2.1413@1440nm |
| 雙折射率(ne-no) |
0.2039@1550nm |
0.256@1530nm |
-0.1572@1497nm |
-0.0738@1440nm |
| 莫氏（Mohs）硬度 |
5 |
6.5 |
3 |
5 |
| 潮解性 |
無 |
無 |
弱 |
無 |
| 透光范圍 |
0.4-5μm |
0.4-5μm |
0.35-2.3μm |
0.4-5μm |
YVO4晶體的應用產(chǎn)品指標：
1. 光纖隔離器用雙折射楔角片規(guī)格
| 孔徑 |
1.0x 1.0mm2 to 4x4mm2 |
| 尺寸公差 |
+/-0.05mm |
| 楔角公差 |
+/-15% |
| 光軸方位角 |
+/-0.5° |
| 平面度 |
λ/4 @ 632.8 nm |
| 表面質(zhì)量 |
20-10 |
| 防反射鍍膜 |
R<0.2% @1550 or 1310nm |
標準尺寸
備注：其他尺寸和鍍膜可根據(jù)要求定制 |
1.25mmx1.25mmx0.5mm with 13° 或 15° 楔角, phi=22.5° |
2.光環(huán)形器和光分束器用YVO4
| 尺寸公差 |
W(+/-0.05mm)xH(+/-0.05mm)xL(+/-0.1mm)or(+/-0.003mm) |
| 光軸方位角 |
+/-0.5° |
| 平行度 |
<15 arc sec |
| 垂直度 |
<10 arc min |
| 平面度 |
λ/4 @ 632.8nm |
| 表面質(zhì)量 |
20/10 |
| 防反射鍍膜 |
R<0.2% @1550 or 1310nm +/-40nm |
標準尺寸
備注：其他尺寸和規(guī)格可根據(jù)要求定制 |
2.6x2.6x10mm, θ=45°,φ=0° | |
