GA51型石英基底單層石墨烯(4英寸) 石英基底單層石墨烯膜 CVD石英基底單層石墨烯薄膜
描述：
● 光透過率：> 97%
● 覆蓋率：> 95%
● 厚度：0.345 nm
● 氧化鋁基底FET電子遷移率：2000 cm2/Vs
● 氧化硅/硅基底霍爾電子遷移率：4000 cm2/Vs
● 方阻：370±10Ω／□
● 晶粒尺寸：達到10μm
● GA51型CVD 石英基底單層石墨烯薄膜的尺寸：直徑4英寸。
● 有特殊要求的用戶可訂制。
石英襯底：
● 厚度：500μm
● 平面度、翹曲：20μm；彎曲：30μm
● 粗糙度：6Å(拋光面)
● 雙面拋光
● GA51型石英基底單層石墨烯的拉曼光譜： 
應用領域：
Solar cells, Touch-screens and displays, Photodetectors, Light harvesting devices
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