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• 高響應(yīng)率(900nm-1700nm)
• 20-350微米直徑
• 客戶封裝和襯底有效
• 陶瓷小裝配
• 其它尺寸有效
• 200微米直徑
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產(chǎn)品說明 |
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客戶： 任何人 |
NO. IAV202 |
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類型：雪崩光電二極管 |
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CUST. DWG |
PKG. |
*陶瓷的 |
MAT InGaAs |
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器件標志 封裝標志陶瓷的 |
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(a) G |
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(b) IAV202 |
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(C) DC |
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A類和/或性能特征 |
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NO. |
參數(shù)條件@23ºC±2°C |
最小 |
典型 |
最大 |
單位 |
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1 |
波長范圍 |
1000 |
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1630 |
nm |
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2 |
響應(yīng)率@M=1 1550nm波長 |
0.85 |
0.9 |
0.95 |
A/W |
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3 |
暗電流@M=10 |
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8 |
25 |
nA |
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4 |
工作電壓Vr@M=10 |
43 |
55 |
67 |
V |
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5 |
擊穿電壓Vbr(Id=10µA) |
50 |
63 |
75 |
V |
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6 |
激活區(qū)直徑 |
200 |
205 |
210 |
µm |
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7 |
電容@M=10 |
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1.8 |
2.2 |
pF |
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8 |
Vbr的溫度系數(shù)(23°C) |
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0.075 |
0.080 |
V/°C |
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9 |
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0.5 |
1.5 |
2.0 |
GHz |
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10 |
帶寬@M=10 |
1 |
1.5 |
2.0 |
GHz |
|
11 |
帶寬@M=20 |
0.5 |
1.0 |
1.5 |
GHz |
|
12 |
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3.2 |
3.7 |
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13 |
過量噪聲因子F@M=20 |
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5.5 |
6.0 |
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14 |
噪聲等效功率NEP@M=10 |
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0.032 |
0.1 |
pW/Hz1/2 |
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15 |
絕對最大條件 |
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16 |
工作溫度范圍 |
-40 |
|
70 |
°C |
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17 |
存儲溫度范圍 |
-40 |
|
85 |
°C |
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18 |
最大反向電流 |
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1 |
mA |
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19 |
最大正向電流 |
0 |
|
10 |
mA |
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20 |
光學(xué)輸入(10ns脈沖) |
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>200 |
kW/cm2 |
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21 |
光學(xué)輸入(平均) |
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0 |
dBm |
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特殊要求 |
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*陶瓷封裝略圖#13332, 200微米直徑激活區(qū)。 |
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對于每一個單位，下列數(shù)據(jù)是要求的：擊穿電壓@10µA。工作電壓和暗電流增益=10,15和20，響應(yīng)率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *試驗條件@23°C±2°C | |
